RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
11.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
77
En -196% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
26
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2978
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link