RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
10.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
64
77
En -20% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
64
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
10.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2181
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link