Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB

G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 17.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,622.0 10.0

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

64 77

Около -20% меньшая задержка
Выше пропускная способность

19200 5300

Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

77 64
Скорость чтения, Гб/сек

3,405.2 17.3
Скорость записи, Гб/сек

2,622.0 10.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 19200

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

763 2181

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB

модули RAM

Kingston 99U5471-012.A00 4GB

Kingston 99U5471-012.A00 4GB

Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB

Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Kingston 9932291-002.A00G 4GB

Kingston 9932291-002.A00G 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston 9905711-035.A00G 8GB

Kingston 9905711-035.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB

Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB

G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB

Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB

Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

модули RAM

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Kingston 9905711-007.A00G 4GB

Kingston 9905711-007.A00G 4GB

модули RAM