RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
20.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
14.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
77
En -328% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
18
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
20.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3431
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link