RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
77
Wokół strony -328% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
18
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3431
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link