RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
22.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
16.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
77
En -157% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
22.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
16.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3697
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link