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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
22.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
16.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
77
Intorno -157% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
30
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
22.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
16.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3697
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
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A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
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Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
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