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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
10.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
77
En -97% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
39
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2600
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
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