RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
77
Autour de -97% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
39
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2600
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link