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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
10.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
77
Por volta de -97% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
39
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
10.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2600
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
INTENSO 5641160 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
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