RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
10.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
77
En -141% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
32
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2882
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link