RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
77
Wokół strony -141% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2882
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link