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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
62
77
En -24% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.0
2,622.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
62
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
6.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
1586
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
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