RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
62
77
Por volta de -24% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.0
2,622.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
62
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
6.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
1586
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link