RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
77
83
En 7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
2,622.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
83
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
1774
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link