RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
77
83
Por volta de 7% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
2,622.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
83
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
8.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
1774
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link