RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
77
83
Autour de 7% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
2,622.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
83
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
1774
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link