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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Compara
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Puntuación global
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
35
En 29% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
11.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
13.4
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR5
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
12.1
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3419
2713
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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