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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
比较
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
总分
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
35
左右 29% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.1
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
13.4
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
35
读取速度,GB/s
13.4
15.4
写入速度,GB/s
12.1
11.3
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3419
2713
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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