RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Compara
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
74
En 51% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
7.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
74
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2569
1679
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link