RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Comparar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
74
Por volta de 51% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
7.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
74
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
7.9
Largura de banda de memória, mbps
17000
21300
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2569
1679
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link