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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Compara
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
40
En 10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
7.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
40
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
9.3
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2569
1773
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
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Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
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