Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

Puntuación global
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    15.8 left arrow 15.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    11.8 left arrow 11.3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 17000
    En 1.25% mayor ancho de banda
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    27 left arrow 36
    En -33% menor latencia

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    36 left arrow 27
  • Velocidad de lectura, GB/s
    15.8 left arrow 15.6
  • Velocidad de escritura, GB/s
    11.8 left arrow 11.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2497 left arrow 2687
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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