Comparación de la memoria RAM Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

Puntuación global

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

15.8 15.6

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

11.8 11.3

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

21300 17000

En 1.25% mayor ancho de banda

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

27 36

En -33% menor latencia

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2497 2687

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns