RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Comparar
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
11.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25% maior largura de banda
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
36
Por volta de -33% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
27
Velocidade de leitura, GB/s
15.8
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
11.3
Largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2497
2687
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston HX316C10F/8 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link