Comparaison de la RAM Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

Note globale

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

15.8 15.6

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

11.8 11.3

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

21300 17000

Autour de 1.25% bande passante supérieure

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

27 36

Autour de -33% latence réduite

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2497 2687

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns