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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Compara
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
37
En 3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
7.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
37
Velocidad de lectura, GB/s
15.8
9.5
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2497
1949
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
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