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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Compara
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
13.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
42
En -40% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2150
2154
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
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