RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
pl
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Kingston K6VDX7-HYD 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Kingston K6VDX7-HYD 8GB

Kingston K6VDX7-HYD 8GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Powody do rozważenia
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    13.9 left arrow 13.5
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.1 left arrow 7.2
    Średnia wartość w badaniach
Kingston K6VDX7-HYD 8GB Powody do rozważenia
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Zgłoś błąd
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    30 left arrow 42
    Wokół strony -40% niższe opóźnienia
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    25600 left arrow 12800
    Wokół strony 2 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    42 left arrow 30
  • Prędkość odczytu, GB/s
    13.9 left arrow 13.5
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.1 left arrow 7.2
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2150 left arrow 2154

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB

Kingston K6VDX7-HYD 8GB Porównanie pamięci RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania

AMD AE34G2139U2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Pamięć RAM
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Pamięć RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Pamięć RAM
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Pamięć RAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Pamięć RAM
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Pamięć RAM
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Pamięć RAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Pamięć RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Pamięć RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Pamięć RAM
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Pamięć RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Pamięć RAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Pamięć RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Pamięć RAM