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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
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Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB vs Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Note globale
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Note globale
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
42
Autour de -40% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
7.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2150
2154
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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