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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB

Puntuación global
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.2 left arrow 9.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.4 left arrow 7.6
    Valor medio en las pruebas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
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  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 10600
    En 1.6 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    37 left arrow 37
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.2 left arrow 9.1
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.4 left arrow 7.6
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2143 left arrow 2046

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM

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