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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
37
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
24
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
2946
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
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EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
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