RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Сравнить
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
37
Около -54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
16.8
Скорость записи, Гб/сек
8.4
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2946
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KF552C40-16 16GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link