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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Compara
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Puntuación global
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
30
En 7% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.5
7.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.7
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
7.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1988
2325
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905622-075.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
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Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
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