RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Confronto
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
30
Intorno 7% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.5
7.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.7
12.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
30
Velocità di lettura, GB/s
12.7
13.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.5
7.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1988
2325
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link