Comparación de la memoria RAM Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Puntuación global

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

30 31

En 3% menor latencia

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

11.3 10.6

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

8.0 6.8

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

12800 8500

En 1.51 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1066 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

1479 2066

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns