RAM-Vergleich Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Gesamtnote

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

30 31

Rund um 3% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

11.3 10.6

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

8.0 6.8

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

12800 8500

Rund um 1.51 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1066 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1479 2066

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns