Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

总分
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

总分
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    30 left arrow 31
    左右 3% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    11.3 left arrow 10.6
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    8.0 left arrow 6.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    12800 left arrow 8500
    左右 1.51 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时,ns
    30 left arrow 31
  • 读取速度,GB/s
    10.6 left arrow 11.3
  • 写入速度,GB/s
    6.8 left arrow 8.0
  • 内存带宽,mbps
    8500 left arrow 12800
Other
  • 描述
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1479 left arrow 2066
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