Confronto tra le RAM Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Punteggio complessivo

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

30 31

Intorno 3% latenza inferiore

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

11.3 10.6

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

8.0 6.8

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

12800 8500

Intorno 1.51 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1066 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1479 2066

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns