Comparação RAM Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Pontuação geral

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

30 31

Por volta de 3% menor latência

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

11.3 10.6

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

8.0 6.8

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

12800 8500

Por volta de 1.51 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1066 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

1479 2066

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns