Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Pontuação geral
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    30 left arrow 31
    Por volta de 3% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    11.3 left arrow 10.6
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    8.0 left arrow 6.8
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 8500
    Por volta de 1.51 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    30 left arrow 31
  • Velocidade de leitura, GB/s
    10.6 left arrow 11.3
  • Velocidade de escrita, GB/s
    6.8 left arrow 8.0
  • Largura de banda de memória, mbps
    8500 left arrow 12800
Other
  • Descrição
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1479 left arrow 2066
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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