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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB

Puntuación global
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Puntuación global
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Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB

Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    14.4 left arrow 11.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.5 left arrow 6.6
    Valor medio en las pruebas
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Razones a tener en cuenta
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    30 left arrow 35
    En -17% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 10600
    En 1.81 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    35 left arrow 30
  • Velocidad de lectura, GB/s
    14.4 left arrow 11.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.5 left arrow 6.6
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2321 left arrow 1832

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
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