RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.4
11.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
6.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
35
Intorno -17% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
30
Velocità di lettura, GB/s
14.4
11.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
6.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
1832
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link