RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
6.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
35
Autour de -17% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
30
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
11.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
6.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
1832
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link