RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.4
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
6.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
35
Около -17% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
30
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
11.7
Скорость записи, Гб/сек
9.5
6.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
1832
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link