RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Compara
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
39
En -70% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
23
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1749
2938
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link