RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
39
Около -70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
23
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
17.0
Скорость записи, Гб/сек
7.2
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
2938
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link