RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
39
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
23
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
2938
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Kingston KHX1866C9D3/4GX 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link