RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Comparar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
39
Por volta de -70% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
23
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
12.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1749
2938
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link