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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Compara
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Puntuación global
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
56
En -47% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
1,813.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
38
Velocidad de lectura, GB/s
4,387.7
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,813.5
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
693
3206
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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