RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Porównaj
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
56
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,813.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,387.7
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,813.5
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
3206
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Inmos + 256MB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link