RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Gesamtnote
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
56
Rund um -47% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
1,813.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
56
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,387.7
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,813.5
13.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
693
3206
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Corsair CMX8GX3M4A1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link